Nonvolatile semiconductor memory device

不揮発性半導体記憶装置

Abstract

【課題】動作の所要時間が短い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1において、シリコン基板上に絶縁膜と導電膜13とを交互に積層させて積層体14を形成し、この積層体14に、積層方向に延びる複数の貫通ホールをマトリクス状に形成する。また、積層体14の上方には、ビット線BLと共に、シャント配線SLを設ける。そして、これらの複数の貫通ホールのうち、シャント配線SLの直下域に一列に配列された貫通ホールの内部には導電体ピラー16を埋設し、残りの貫通ホールの内部には半導体ピラー17を埋設する。導電体ピラー16は、金属又は低抵抗のシリコンによって形成し、その上端部をシャント配線SLに接続し、下端部をシリコン基板の上層部分に形成されたセルソースCSに接続する。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has short required time for operation. <P>SOLUTION: The nonvolatile semiconductor memory device 1 comprises a laminate 14 formed with an insulating film and a conductive film 13, laminated alternately on a silicon substrate, and a plurality of through-holes extending in the laminated direction are formed in matrix state on the laminate 14. Shunt lines SLs are additionally provided over the laminate 14, together with bit lines BLs. Conductive material pillars 16 are embedded in the inside of the through-holes, arranged in a region in a row under the shunt lines SL and semiconductor pillars 17 are embedded in the inside of the remaining through-holes out of the plurality of through-holes. The conductive material pillars 16 are formed by metal or low-resistance silicon, their upper end parts are connected to the shunt lines SLs, and their lower end part are connected to cell sources CSs which are formed on the upper layer parts of the silicon substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

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