Transistor with a-face conductive channel and trench protecting well region



PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transistor having an insulated control contact in a trench in a semiconductor crystal structure. SOLUTION: Disclosed is the transistor having the insulated control contact within the trench in the semiconductor crystal structure, the transistor having: mesas which are a pair of semiconductor mesas defining the trench and each have at least one p-n junction; a buried channel layer which is a buried channel layer extending to top-surface portions of the semiconductor mesas and at least partially covering a wall of the trench, and provides a conductive path over the A face of the semiconductor crystal structure; a current diffusion layer which extends between the semiconductor mesas and below the bottom portion of the trench to reduce junction type field effect resistance in the device; and a doped type well which extends in the current diffusion layer from at least one of the mesas to a depth larger than the depth of the trench. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
【課題】本発明は、半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタを提供する。 【解決手段】半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも1つのp−n接合を備える、メサと、該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のA面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、該メサのうちの少なくとも1つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸とを備える、トランジスタ。 【選択図】図5




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